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日期: 2022-08-16 12:49
 英特爾4奈米下半年量產 效能比7奈米增逾20%
 
• 2022-07-04 18:55
  (中央社記者張建中新竹2022年7月4日電)英特爾 (Intel)4奈米預計今年下半年量產,將採用極紫外光 (EUV)系統,與7奈米相比,在相同功耗可提升效 能逾20%。

英特爾近期於美國檀香山舉行的VLSI國際研討會, 公布4奈米(Intel 4)製程的技術細節。英特爾今天發 布新聞稿表示,相較於7奈米(Intel 7),Intel 4於相 同功耗提升20%以上的效能,高效能元件庫密度是2 倍。

英特爾指出,Intel 4於鰭片間距、接點間距以及低 層金屬間距等關鍵尺寸,持續朝向微縮的方向推進, 同時導入設計技術偕同最佳化,縮小單一元件的尺 寸。

透過鰭式場效電晶體(FinFET)材料與結構上的改 良提升效能,英特爾表示,Intel 4單一N型半導體或是 P型半導體,其鰭片數量從Intel 7高效能元件庫的4片 降低至3片。綜合上述技術,Intel 4不僅能夠增加邏輯 元件密度,並縮減路徑延遲和降低功耗。

英特爾指出,Intel 4加入網格布線方案,簡單化並 規律化電路布線,提升效能,同時改善生產良 率。Intel 4採用新的金屬配方強化銅,使用銅做為導 線、接點的主體,取代Intel 7所使用的鈷,外層再使 用鈷、鉭包覆。

英特爾並廣泛使用EUV減化製程,可大幅度減少光 罩數量和製程步驟。英特爾表示,Intel 4進展順利, 將依計畫於今年下半年量產,以滿足電腦客戶端產品 Meteor Lake的需求。

英特爾更指出,將導入全球第一款量產型高數值孔 徑(High-NA)EUV系統,並將於2025年重回半導體 製程領先地位。

   
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