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日期: 2022-08-12 17:03

傳三星將開始量產3奈米晶片 領先台積電和英特爾
 
• 2022-06-29 16:34
  (中央社首爾2022年06月29日綜合外電報導)韓媒報 導,韓國三星電子(Samsung Electronics)明天將開始 以環繞閘極(GAA)架構,量產3奈米晶片。三星電 子已為迎頭趕上全球晶圓代工龍頭台積電奠定基礎。

根據「韓國商報」(Business Korea)報導,三星電 子明天將正式宣布量產GAA架構的3奈米晶片。GAA 電晶體架構可以縮減晶片體積,減少能耗,優於目前 的鰭式場效電晶體(FinFET)架構。

報導中表示,三星電子開始採用最新GAA架構的時 間,遠比台積電和英特爾(Intel)還早,台積電和英 特爾分別預計在今年下半年和明年下半年開始量產3 奈米晶片。

三星的GAA技術吸引了外界的目光,美國總統拜登 (Joe Biden)5月20日參觀三星平澤(Pyeongtaek)半 導體廠時,在一片GAA原型晶片留下簽名,當時由三 星電子副會長李在鎔直接向韓國總統尹錫悅和拜登進 行簡報。

報導最後表示,今年稍早,部分產業觀察家懷疑三 星可能會因為良率低而延後投產3奈米晶片。這些疑 慮後來證明是毫無根據。

   
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