 |
日期： 2022-08-12 22:16 |
 |
傳三星將開始量產3奈米晶片 領先台積電和英特爾 | ||||
|
|||||
|
（中央社首爾2022年06月29日綜合外電報導）韓媒報
導，韓國三星電子（Samsung Electronics）明天將開始
以環繞閘極（GAA）架構，量產3奈米晶片。三星電
子已為迎頭趕上全球晶圓代工龍頭台積電奠定基礎。 根據「韓國商報」（Business Korea）報導，三星電 子明天將正式宣布量產GAA架構的3奈米晶片。GAA 電晶體架構可以縮減晶片體積，減少能耗，優於目前 的鰭式場效電晶體（FinFET）架構。 報導中表示，三星電子開始採用最新GAA架構的時 間，遠比台積電和英特爾（Intel）還早，台積電和英 特爾分別預計在今年下半年和明年下半年開始量產3 奈米晶片。 三星的GAA技術吸引了外界的目光，美國總統拜登 （Joe Biden）5月20日參觀三星平澤（Pyeongtaek）半 導體廠時，在一片GAA原型晶片留下簽名，當時由三 星電子副會長李在鎔直接向韓國總統尹錫悅和拜登進 行簡報。 報導最後表示，今年稍早，部分產業觀察家懷疑三 星可能會因為良率低而延後投產3奈米晶片。這些疑 慮後來證明是毫無根據。 |
|||||
 |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 |
Page 1 2 [ 3 ] 4 5 6 7 8 9 10 
|
 |
