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日期： 2022-08-16 00:33 |
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技術領先同業 三星宣布量產3奈米晶片 | ||||
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（中央社記者廖禹揚台北2022年6月30日電）韓國三
星電子今天正式宣布開始量產3奈米晶片，領先台積
電（2330）及英特爾等國際競爭對手，可提高晶片性
能23%，縮小晶片面積16%。 韓聯社報導，三星電子今天正式宣布量產環繞閘極 （GAA）架構的3奈米製程，於設有極紫外光 （EUV）設備的華城園區S3產線投入生產。 三星電子說明，新上線的3奈米製程與三星電子既 有的5奈米製程相比，用電可節約45%，性能提高 23%，晶片面積縮小16%；明年預定導入的2世代GAA 技術的3奈米製程將可進一步節約電力至50%，提高性 能30%，縮小晶片面積35%等。 三星電子規劃先在高效能運算（HPC）用系統晶片 導入3奈米製程，之後再擴大應用至系統單晶片 （SoC）。 三星電子晶圓代工事業部長崔時英表示，三星電子 藉由率先導入FinFET、EUV等晶圓代工新技術快速成 長，這次應用GAA技術的3奈米製程也領先全球， 「今後將積極開發（與其他業者）差別化的技術，構 築快速提高製程成熟度的系統」。 根據研調機構集邦科技（TrendForce）統計，今年 第一季全球晶圓代工市占率由台積電以53.6%高居第 一，三星電子以16.3%位居第二。報導指出，三星電 子可能希望藉這次率先推出3奈米製程，追上最大勁 敵台積電。 在此之前，三星電子與台積電的最尖端製程皆為4 奈米，台積電先前表示，將在今年下半年開始3奈米 製程量產。三星電子繼這次3奈米製程投入量產後， 規劃在2025年投入GAA架構的2奈米製程。 |
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